2022年3月10日，财联社报道称，中信建投认为，碳化硅衬底的使用极限性能优于硅衬底，能够完全满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求，当前碳化硅衬底已应用于射频器件及功率器件。

  中信建投将SiC器件发展分为三个发展阶段：2019-2021年为初期；2022-2023年为拐点期；2024-2026年为爆发期。

  中信建投认为，SiC随着在新能源汽车、充电基础设施、5G基站、工业和能源等应用领域展开，需求迎来爆发增长，其中，新能源汽车是SiC器件应用增长最快的市场，预计2022-2026年的市场规模从16亿美元到46亿美元。

  尤为值得一提的是，本土企业在车用SiC领域已经取得了一定的突破。去年12月，在首届集微汽车半导体生态峰会上，广东芯聚能半导体有限公司总裁周晓阳也表示，芯聚能SiC模块将用于主逆变器，且已通过国内前三大主机厂车载可靠性测试、夏季标定和耐久测试，系统环境耐久试验考核，预计2022年Q1量产。

  同月，由中车时代电气C-Car平台孵化的新新一代产品C-Power 220s在第二届新能源乘用车自主电驱创新技术高峰论坛正式对外发布，该产品是国内首款基于自主SiC大功率电驱产品，系统效率最高可达94%。

  关键字：SiC编辑：北极风 引用地址：2024-2026年SiC器件发展将迎来“爆发期”

  上一篇：高的附加价值产品销量持续增加，振华科技2021年净利润大增146.6%

  日本电装试制出了采用SiC功率元件制成的逆变器。该逆变器的特点是输出功率密度高达60kW/L，这一数值达到了“全球顶配水平”（该公司）。 该试制品通过将功率半导体材料由原来的Si改为SiC，同时功率元件内部通过采用自主开发的构造实现了低电阻化，以此来降低了电力损耗。而且，还通过改进逆变器模块内的布线，降低了模块整体的电阻，从而使发热量比原产品减少了68％。 电装预定在汽车领域展会“人与车科技展2012”（2012年5月23～25日）上展出此次的试制品。

  中国电科（山西）碳化硅材料产业基地举行投产仪式。 中国电科党组书记、董事长熊群力指出，中国电科（山西）电子信息科学技术创新产业园是中国电科围绕半导体材料、装备制造产业领域在晋的战略布局。 中国电科（山西）电子信息科学技术创新产业园项目包括“一个中心、三个基地”。“三个基地”即中国电科（山西）碳化硅材料产业基地、中国电科（山西）电子装备智能制造产业基地、中国电科（山西）能源产业基地。 此前有消息称，中国电科（山西）碳化硅材料产业基地将建成国内最大的碳化硅（SiC）材料供应基地。中国电科（山西）碳化硅产业基地一期项目于2019年4月1日开工建设，同年9月26日封顶，据此前山西综改示范区消息，一期项目建筑面积2.7万平方米，能容纳600台碳化硅

  贸泽电子开售Qorvo旗下UnitedSiC的UF3N170400B7S 1700V SiC JFET 2022年4月29日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货 UnitedSiC（现已被Qorvo®收购）的UF3N170400B7S JFET。 UF3N170400B7S 是一款高性能的第三代碳化硅 (SiC) 常开JFET，为过流保护电路、DC-AC逆变器、开关电源 、功率因数校正模块、电机驱动和感应加热等应用提供了理想解决方案。 贸泽分销的 UF3N170400B7S 是一种开关速度超快且与温度无关的JFET，

  JFET /

  面向新一代功率转换器的ADI隔离式栅极驱动器、电源控制器和处理器 Stefano Gallinaro ADI公司 简介 目前，功率转换器市场快速演进，将来也会加快速度进行发展，从简单的高性价比设计模式走向更广泛、更具持续性的创新模式。新的挑战不断涌现，比如，生产能供小型伺服驱动使用或者能集成到分布式存能单元功率转换器中的更小、更高效的功率转换器。这也代表着，要用更高的工作电压来管理更高的功率，却不能增加重量和尺寸，比如，太阳能串式逆变器和电动汽车牵引电机等应用场合。 基于碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)半导体的新型高效率、超快速功率转换器慢慢的开始在各种创新市场和应用领域攻城略地——这类应用包括太

  /GaN功率转换器的驱动 /

  800V，5C，9分30秒，400公里。 这一连串的数据，是理想最新交出的成绩单。用官方线C电池，纯电车型能轻松实现峰值500kW以上的充电功率，充电9分30秒续航能达到400公里。整体用时较2C纯电车型缩短了50%。 这样的充电速度，恐怕手机生产厂商听了也会沉默。曾凭借单一爆款车型ONE走天下的理想，先后推出了L9，L8，L7套娃系列，如今其正从增程杀向纯电的市场。而最好的出场方式，便是拿出一套杀手锏。 或许能这样认为，比小鹏S4超充技术来得更凶猛的，是理想口中的“5G补能时代”。 图片来自：理想汽车 碳化硅的高光时刻 我们在之前文章《凛冬至，800V+SiC能带来新能

  的春天来了？ /

  据外媒报道，近日，日本三菱电机公司（Mitsubishi Electric Corporation）宣布推出N系列1200V碳化硅 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），该产品功率损耗低且自接通耐受性高，还能够在一定程度上帮助降低功耗，实现 电动汽车 （EV）车载充电器、光伏电力系统等供电系统（需要转换高压）的小型化，产品样品将于今年7月开始发货。 （图片来自：三菱电机） 三菱电机还将在大型贸易展会上展示其新款N系列1200V SiC-MOSFET，包括将于11月16日至18日在中国上海举办的2020 PCIM Asia（上海国际电力元件、可再次生产的能源管理展览会）上进行展示。 产品特点： 1、 降低功耗，实现供电系统

  -MOSFET 功耗低/减小车载充电器尺寸 /

  近日，第二届英飞凌碳化硅应用技术发展论坛暨光伏与储能分论坛在春意盎然的上海圆满收官。此次盛会高朋满座，英飞凌工业功率控制事业部的管理团队和技术专家与碳化硅产、学、研界的大咖，以及共创ECO的合作伙伴齐聚一堂，共话碳化硅技术的发展前途、应用之道，并肩展望未来新能源发展的新趋势。 论坛以“Cool 芯领航 英华绽放”为主题，英飞凌科技高级总监Peter Friedrichs围绕“英飞凌碳化硅的技术布局”发表主旨演讲，为整个大会拉开了序幕。来自英飞凌、台达电力、中国科学院电工研究所、伊顿电气、德国莱茵TÜV集团、IHS Markit的多位专家也出席了论坛，并做了精彩报告。 英飞凌科技高级总监Peter Friedrich

  应用技术大玩家，英飞凌从“芯”出发 /

  2023 年 5 月 17日— 宾夕法尼亚州立大学与智能电源和智能感知技术的领先企业安森美（onsemi） ，宣布双方签署了一份谅解备忘录 (MOU)，旨在开展一项总额达 800 万美元的战略合作，这中间还包括在宾夕法尼亚州立大学材料研究所 (MRI) 开设安森美碳化硅晶体中心 (SiC3)。未来 10 年，安森美每年都将为 SiC3 中心提供 80 万美元的资金。 安森美和宾夕法尼亚州立大学领导团队庆祝签署谅解备忘录 (MOU)，开展总额达 800 万美元的战略合作，这中间还包括在宾夕法尼亚州立大学开设安森美碳化硅晶体中心 (SiC3)。 碳化硅 (SiC) 对于提高电动汽车 (EV)、电动汽车充电和能源基础设施的能效至

  研究 /

  半导体材料与器件 PDF高清电子版

  HVI系列 - 如何驱动碳化硅 MOSFET 以优化高功率系统的性能和可靠性

  直播回放：Littelfuse 碳化硅(SiC) MOSFET和肖特基二极管产品介绍及相关应用

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