-DC稳压器输出电压规模的代替办法。运用自耦变压器，输入输出电压能够扩展到

  在图 1 中，具有内部开关 MOSFET 的 DC-DC 稳压器反相 12V，在 -200V 时发生 12mA 输出。该 IC 是一款高效率器材，其低静态电流（最大值为 120μA） 是经过 CMOS 工艺完成的，该工艺将肯定最大电压约束为 21V （输入至输出）。因而，为了尽最大或许防止端子两头呈现24V电压，IC一定要经过驱动非自举装备中的外部开关或反激式变压器装备中的内部开关，将本身与电感反激式电压阻隔开来。

  图1.自耦变压器T1约束IC1两头的电压，答应在该反相DC-DC稳压器中运用高效芯片（肯定最大电压为21V）。

  自耦变压器 T1（匝数比为 1：1 的中心抽头电感器）供给了一种规划代替计划。在所示电路中，LX飞回1/2V外加上二极管压降，或大约-6V.V+保持在12V，在V+和LX之间发生18V的最大电压，彻底在21V的约束规模内。

  因为IC1在V+和OUT电压之间驱动其内部MOSFET的栅极，因而通常将OUT连接到V外以保证满足的栅极驱动（在典型使用中，芯片将5V反相至-5V）。在该电路中，12V输入供给满足的栅极驱动，因而OUT接地。