纳微首席执行官在公司创立仅 7 年后敲响了纳斯达克开市钟（股票代码NVTS）

　　•超过 10 亿美元的企业价值以及超过 3.2 亿美元的合并总收益将推动纳微向新市场扩张

　　美国东部时间2021年10月20日，氮化镓功率芯片的行业领导者纳微半导体（“纳微”）的股票，真正开始在纳斯达克全球市场交易，股票代码为“NVTS”。首席执行官Gene Sheridan在公司领导团队的陪伴下，在纽约纳斯达克MarketSite敲响了开市钟，庆祝公司股票首日上市交易。

　　氮化镓 (GaN)是新一代半导体技术，其工作速度比传统硅芯片快20倍，并且在尺寸和重量减半的情况下可将功率和充电速度提高3倍。纳微的GaNFast™功率芯片集成了氮化镓功率器件以及氮化镓驱动、保护和控制器件，使用简单、外形小巧、充电更快、节约能源的效果更强。GaNFast™ 功率芯片被应用在130多种型号的移动充电器中，在移动充电器的应用领域超过所有其他氮化镓公司的总和，这中间还包括小米、戴尔、联想、LG、亚马逊、OPPO、安克、贝尔金和其他几十家主要制造商生产的快速充电器。截至2021年10月，纳微已交付3000万多颗GaNFast功率芯片，未收到任何故障报告，在移动市场中展示出卓越的质量和可靠性，为纳微向消费、太阳能、能源储备、数据中心和电动汽车市场扩张铺平了道路。

　　纳微所有的联合发起人都依旧在纳微任职，均现场参加了纳斯达克敲钟仪式，包括首席执行官 Gene Sheridan、首席运营官兼首席技术官Dan Kinzer、工程副总裁Nick Fichtenbaum以及应用和技术营销副总裁Jason Zhang。凭借130多项已获得或正在申请的专利，以及包括专有工艺设计套件(PDK)在内的重要商业机密，纳微相信我们在下一代氮化镓功率芯片领域拥有，并将持续拥有多年的领先优势。

　　福克斯、CNBC、Bloomberg现场直播了敲钟仪式，Facebooklive同步进行网上直播，洛杉矶、上海、深圳、台北、马尼拉以及别的地方的纳微同事、纳微投资人观看了直播。各地区的纳微同事们举行了当地的庆祝仪式。

　　纳微首席执行官兼联合创始人Gene Sheridan表示：“这是激动人心的一天，也是向整个新一代电源ECO表示祝贺的好时机，包括我们才华横溢的芯片设计师、勤勉敬业的销售和应用团队、合作伙伴客户和战略投资者等等。”他表示：“我们的第一个七年见证了纳微知识产权、营业收入、客户数量的急速增长……在接下来的七年中，我们期待看到纳微加快进入电动汽车领域的步伐，从而加速实现电动汽车的普及。为数据中心节省数十亿美元的电力成本，以及到2050年，每年为全球减少26亿吨二氧化碳排放量。Let’s Go GaNFast！”

　　时代广场纳斯达克大厦的屏幕上展示了纳微重要投资人发来的贺电，其中许多投资人与纳微团队一起登台庆祝。纳微吉祥物“小氮星”和“小镓星”（分别代表化学元素氮和镓）在美国正式亮相，象征着氮化镓的速度和“纳微芯球”的能量。多个品牌宣传视频突出展示了GaNFast品牌及其快速、轻巧和纤薄的特点。视频同时强调了氮化镓的主要环境优势，即与传统硅芯片相比，每个最终交付的氮化镓功率芯片最多可减少四千克的二氧化碳排放量。

　　纳微于10月19日完成了与Live OakAcquisition Corp. II（“Live Oak II”）的业务合并。Live Oak II前首席执行官、现任纳微董事会成员Rick Hendrix表示：“我们今天与纳微团队一起庆祝纳微上市。纳微是一家深度科技公司。纳微团队向投资者自信并全面地展示了新一代的技术、多样化的市场以及使氮化镓功率芯片取得长久成功的详细的商业模式。我们已决定与纳微的高级管理团队锁定多年的合作伙伴关系，这表明我们对这项突破性技术的信心以及对长期投资者的承诺。”

　　纳微半导体成立于2014年，是氮化镓功率芯片的行业领导者。纳微的普通股和认股权证于 2021 年 10 月 20 日星期三起在纳斯达克全球市场进行交易，股票代码分别为“NVTS”和“NVTSW”。纳微拥有一支强大且不断成长的功率半导体行业的专家团队。这支团队在材料、器件、应用、系统和市场营销方面合计拥有超过300年的经验。此外，公司创始人技术创新记录卓著，合计拥有超过200项专利。氮化镓功率芯片集成了氮化镓功率器件以及氮化镓驱动、保护和控制器件，充电速度更快、功率密度更高、节约能源的效果更强，适用于移动、消费、企业、电动交通和新能源市场。纳微已经获得或正在申请的专利有130多项。纳微已交付了3000多万颗GaNFast功率芯片，没有收到任何故障报告。

　　Live Oak II在2020年12月筹集了2.53亿美元资金，其投资单位、A类普通股和认股权证于2021年10月20日之前已在纽约证券交易所上市，股票代码分别为“LOKB.U”、“LOKB”和“LOKB WS”。Live Oak II是一家空白支票公司，其成立的商业目的是与一家或多家企业实施合并、资本股票交换、资产收购、股票购买、重组或开展类似的公司合并行为。Live Oak II拥有经验比较丰富的管理者、运营者和投资者。他们曾经在上市公司和非上市公司的建立、运营以及收购工作中发挥及其重要的作用，并为股东创造价值。该团队在广泛的行业领域拥有丰富的运营和投资经验，为公司带来了多元化的经验以及宝贵的专业相关知识和见解。

　　关键字：引用地址：纳微半导体正式登陆纳斯达克，以股票代码NVTS上市交易

　　纳微半导体推出全球首款智能GaNFast氮化镓功率芯片，GaNSense新技术登场 增加GaNSense™技术，全新GaNFast™氮化镓功率芯片通过实时智能传感和保护，为40亿美元的手机充电器和消费市场带来最高效率和可靠性 11月8日，北京--氮化镓（GaN）功率芯片的行业领导者纳微半导体（Navitas Semiconductor）（纳斯达克股票代码：NVTS）宣布推出新一代采用GaNSense技术的智能GaNFast氮化镓功率芯片。GaNSense技术集成了关键、实时、智能的传感和保护电路，进一步提升了纳微半导体在功率半导体行业领先的可靠性和稳健性，同时增加了纳微氮化镓功率芯片技术的节能和快充优势。 氮化

　　功率芯片 /

　　早在2020年中央经济工作会议上，明确将“碳达峰”与“碳中和”列为2021年八项重点任务之一，而随着“碳中和”、“碳达峰”的火热讨论，绿色用电、高效发电显得至关重要。在此背景下，业内人士纷纷认为，具备可提升能源转换效率特点的第三代半导体产业将进入发展快车道。 能源转换优势显著 第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长于坤山指出，“碳中和”、“碳达峰”的战略决策意义非常重大，而节能减排则是核心工作之一。国家提出要建立以新能源为主体的新型电力系统，因此新能源的占比将会持续快速增加，而在新能源发展中，将会以工业半导体特别是第三代半导体作为主要的支撑。 毫无疑问，以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体材料具备耐高温、耐高压、高频率、大功率、抗

　　的未来吗？ /

　　自 20 世纪 60 年代以来，硅基MOSFET一直是电力电子应用的标准。另外，越来越小的给寻求在越来越小的外观尺寸中提供更高效率和更大功率密度的研发人员带来了新的挑战。从大型数据中心和墙壁插座交流适配器到汽车车载充电站的各种电源都需要高电压，同时占用尽可能少的宝贵电路板空间。汽车电气架构需要更有效的能量分配来操作慢慢的变多的用于导航和检测潜在障碍物的成像设备和传感器。 目前硅基半导体功率表现已经到达了极限，氮化镓慢慢的被证明是最佳解决方案。 了解 GaN HEMT GaN HEMT（高电子迁移率晶体管）不一定在任何场景中都比Si MOSFET、碳化硅 (SiC) MOSFET 或 IGBT（绝缘栅双极晶体管）更好。 然而，

　　4 月 18 日消息，综合电子科技大学新闻网、《四川日报》报道，电子科技大学信息与量子实验室研究团队与清华大学、中国科学院上海微系统与信息技术研究所合作，在国际上首次研制出氮化镓量子光源芯片。这也是电子科技大学“银杏一号”城域量子互联网研究平台取得的又一项重要进展。 量子光源芯片是量子互联网的核心器件，可以看作是点亮“量子房间”的“量子灯泡”，让联网用户拥有进行量子信息交互的能力。 目前，量子光源芯片多使用氮化硅等材料来研制，与之相比，氮化镓量子光源芯片在输出波长范围等关键指标上取得突破，输出波长范围从 25.6 纳米增加到 100 纳米，并可朝着单片集成发展。 研究团队通过迭代电子束曝光和干法刻蚀工艺，攻克了高质量氮化镓晶

　　量子光源芯片 /

　　小米之前有一款型号为 MDY-13-ET 的充电器通过了 3C 认证，但始终没上市。随着支持“120W 神仙秒充”的 Redmi Note 11 Pro+ 发布，这款充电器也正式上架小米商城等平台并开启预约，套装 299 元，11 月 1 日开售。 IT之家了解到，这款充电器采用 GaN 功率管，电源转换效率更加高，体积更小，峰值稳定性更强，接口方面也改成了 Type-C 接口，数据线兼容性更强。 小米介绍称，这款充电器采用高频 + 平面变压器模组设计，灌胶均热可靠性好，还内置了智能识别芯片，拥有多重安全保护功能，而且外壳采用 UL94-V0 级防火耐高温材料打造，整体设计风格简洁，可满足 5000 米的高海

　　德州仪器（TI）近日推出一项创新的三相氮化镓（GaN）逆变器参考设计，可帮助工程师构建200 V，2 kW交流伺服电机驱动器和下一代工业机器人，具有快速的电流回路控制，更高的效率，更精确的速度和转矩控制。现在下载参考设计。 三相逆变器GaN功率级 三相高频GaN逆变器参考设计采用TI去年最新推出的LMG3410 600-V，12-A GaN功率模块，具有集成FET、栅极驱动器和保护功能。 GaN模块可使设计开关比硅FET快5倍，可在100 kHz时实现高于98%的效率水平，在24 kHz脉宽调制（PWM）频率下，可实现高于99％的效率水平。使用GaN，设计人能优化开关性能，减少电机的功率损耗，并可降低散热片的尺寸以节省

　　2020年底，意法半导体（ST）宣布到2027年实现碳中和目标和100%采用可再次生产的能源，是目前已知消息中，有望最早实现这个目标的半导体公司。ST此前曾表示，此举是践行公司的可持续发展之路的重要举措。 而除了开源可再次生产的能源之外，通过节能，可进一步实现减排目标。ST汽车和分立器件产品部(ADG) 执行副总裁，功率晶体管事业部总经理Edoardo Merli援引了IEA的数据：2019年全球总用电量约为23,000亿千瓦时(TWh)，其中工业使用了42%的电力。“如果仅将工业用电效率提升1%，就能节约95.6亿千瓦时的电能，相当于15个核电站的发电量，等效于1100万吨煤或5500万桶石油，并减排3200万吨二氧化碳。” ST

　　，浅析宽禁带布局的关键 /

　　目前，许多由有机材料制造的电子和光电子材料都具备良好的柔韧度，易于改变形状。与此同时，不易形变的无机化合物在制造光学、电气和机械元件方面展现出了强大的性能。但由于技术原因，二者却很难优势互补，功能优异的无机化合物半导体也因不易塑形的特点而遇到了发展障碍。 幸好，氮化镓与石墨烯的结合，部分实现了强强联合这一理想目标，一种能“变形”的发光二极管（LED）材料已经诞生。据物理学家组织网近日报道，由韩国首尔大学伊圭哲（音译）教授领导的研究小组将微型的氮化镓棒植于石墨烯薄膜表面，制成了一种可弯曲和伸缩的LED材料，这在某种程度上预示着，可弯曲变形的显示器等LED产品或许将广泛出现在我们的生活之中了。研究成果细节刊登在由美国物理联合会（AIP）

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　　STM32N6终于要发布了，ST首款带有NPU的MCU到底怎么样，欢迎小伙们来STM32全球线上峰会寻找答案！

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