IC1，二极管 D1和晶体管 Q1 构成低负载串联通调理偏置电源。挑选这些元件以发生 Q 的电压1 落在 IC 之间的发射器1的关断电压和整流辅佐偏置绕组输出发生的标称电压 VAUX_NOM.实际上，IC上的电压1的 V抄送 引脚以有线或方法跟从，以较高者为准：VAUX_NOM 或晶体管Q处的电压1的发射器。

  广受欢迎的多端 TL431 三端子并联稳压器为规划人员的运用供给了相当大的多功用性。图1a图示了TL431的内部电路，这中心还包含一个精细基准电压源、一个运算放大器和一个并联晶体管（参考文献1）。在典型的稳压器运用中，两个外部电阻器R一个和 RB，确认负载电阻R下端的并联调理输出电压S(图 1b).举例说明，TL431 和一些外部有源和无源元件可用作 SMPS（开关形式电源）PWM（脉宽调制）控制器的低功耗辅佐电源。在某些电源规划中，降压变压器上的辅佐绕组为PWM控制器供电。在轻输出负载下，辅佐绕组或许向PWM控制器供给缺乏的功率。

  图1简略的框图（a）躲藏了TL431的内部杂乱，但您只需三个外部电阻即可在根本并联稳压器电路（B）。

  例如，转换器电路图2为 PWM 控制器 IC 获取电源1经过辅佐偏置绕组，W辅佐，它是变压器T的一部分1.电阻器 RT和电容器 C拿构成涓流充电电路，为IC供给发动电源1.为了节约能源，电阻R.T供给满足的电流来对 C 进行涓流充电拿至电压 V辅佐.电路发动后，它按预期作业，向负载供给输出功率，辅佐绕组及其组件为 PWM 控制器供电。

  但是，移除输出负载会削减供给给辅佐偏置绕组的能量，然后耗尽C上的电荷拿并导致集成电路1封闭，这反过来又会损坏输出电压调理并导致电源运转不规则。低功耗偏置电源电路供给轻负载发动电源，然后在辅佐绕组可认为PWM控制器IC供给满足能量时封闭以节约功率1(图3).在该电路中，串联调整器在轻负载条件下导通，当偏置绕组可以向PWM控制器供给能量时关断，然后在负载下节约能量并进步转换器功率。

  图3在这种改善的规划中，脉宽控制器IC1衍生出其RT 电源用于发动，辅佐绕组 WAUX 用于正常运转，以及用于低负载操作的并联稳压器电路 IC2 和 Q1。

  电阻器 R一个经过 RD、并联稳压器 IC1，二极管D1和晶体管 Q1构成低负载串联通调理偏置电源。挑选这些元件以发生 Q 的电压1落在 IC 之间的发射器1的关断电压和整流辅佐偏置绕组输出发生的标称电压 VAUX_NOM.实际上，IC上的电压1的 V抄送引脚以有线或方法跟从，以较高者为准：VAUX_NOM或晶体管Q处的电压1的发射器。当辅佐偏置绕组及其组件供给满足的功率时，Q1的发射器看到反向偏置，Q1封闭以节约能源。相反，Q1在 V 时供电辅佐低于 VAUX_NOM因为输出负载较轻。留意，电路仍有必要包含涓流充电电阻R。T因为大多数PWM控制器都集成了欠压确定功用，因而可以在高于标称电源电压时发动。要规划串联调整稳压器，请挑选电阻R。C为 IC 供给满足的作业电流2，从而挑选电阻器 RD以坚持 Q1的集电极电压和电流在其安全作业区域内。挑选电阻器 R一个和 RB将串联稳压器的输出电压设置在IC以上1的发动电压，低于辅佐绕组整流输出供给的标称电压。挑选旁路电容器C一个将 IC 上的纹波电压降至2.您可以正常的运用以下内容方程调整由电阻R构成的分压器一个和 RB:

  Q 时的电压1的发射极有必要低于辅佐偏置绕组供给的标称辅佐电压。V裁判代表并联稳压器 IC2内部标称基准电压为 2.495V，VD1和 VBE（Q1）表明 D1的压降和 Q1的正向基极-发射极电压。