芯朋微、士兰微、启臣微、富满代理，电源芯片/驱动芯片、MOS、IGBT、二三极管等电子料，免费试样，提供技术支持！

  AP90P03Q p沟道mos管 30v 60a丝印:90P03Q-铨力半导体代理

  AP50P03K p沟道mos -30v -35a丝印:AP50P03 储能、小家电mos管

  AP4435C -30v的耐压p型mos管丝印:4435-铨力mos管

  AP15P03Q PDFN3*3 P沟道-30v -12A vbus开关mos管

  AP8205 双n mos 20v6A 丝印：8205A-铨力mos管

  AP2080Q 30A 20V耐压mos DFN3*3封装-铨力mos管

  AP2045Q 20V 60A bms保护板mos管 丝印:2045Q

  AP2335 ALLPOWER铨力 P沟道 -20V -7A SOT-23-3丝印2335

  MOS管可以用作可变电阻也可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高很适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。场效应管可以方便地用作恒流源也可以用作电子开关，骊微电子60-80V低压mos系列，常用于光伏储能、BMS、逆变器等领域，是光伏储能、BMS、逆变器专用mos管！耐压60Vmos管系列：主要有SVG062R8NL5、SVG063R5

  PD快充协议是一种高速充电技术，能快速给移动电子设备充电，并且不会产生过热等安全问题。而这种协议需要配合芯片才能实现快充，因此，在选择PD快充协议芯片时应该要依据具体的使用场景以及需求来做选型，骊微电子推出18W/20W/35W/45W/65W/100W常用pd协议芯片方案。常用pd协议芯片18W/20W/35W/45W/65W/100W选型36W和36W以

  P型MOS管是一种适合在低速、低频领域内应用的器件，P-MOSFET的栅极是绝缘的，属于电压控制器件，因而输入阻抗高，驱动功率小，电路简单。和N沟道MOSFET产品相比，P沟道MOSFET产品需求远小，但在某些应用领域，P沟道MOSFET因其本身的电性特点，有其不可替代性，目前骊微电子可提供-30~-150V，-3~-46A的P沟道MOSFET解决方案，封装

  高压MOS管4N65/7N65/10N65/12N65，士兰微mos代理商!

  MOS管是一种金属—氧化物—半导体场效应晶体管，或称金属—绝缘体—半导体，具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，是中小功率应用领域的主流开关器件，大范围的应用于通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等。骊微电子低压MOSFET大多数都用在消费电子领域，中高压MOSFET则大多数都用在工业、通讯、电动车等领域。4n65高压mos管参数型号：SVF4

  芯朋微电子成立于2005年，于2020年7月登陆上交所科创板，产品最重要的包含AC-DC、DC-DC、MotorDriver等，应用于家用电器、手机及平板的充电器、机顶盒及笔记本的适配器、移动数码设备、智能电表、工控设备等领域，与深圳市骊微电子科技有限公司建立了长期稳定的合作伙伴关系，代理销售Chipown品牌系列新产品，包括家电电源、标准电源、消费数码、半桥驱动等，

  IRFB4227PBF TO-220替代料200v mos管SVT20240NT 士兰微MOS代理

  MOSFET作为功率半导体大范围的应用于汽车、家电、光伏、风电、轨交等领域，长期以来一直被国外厂商占据着大部分市场占有率，受益于庞大的终端消费需求，国内终端厂商推进进口替代，骊微电子推出SVT20240NTN沟道增强型MOS管可替代IRFB4227PBFTO-220场效应管。irfb4227场效应管替代料SVT20240NT特征■72A,200V,RDs(on)(

  VIPER12A芯片采用SO-8或DIP-8两种封装，是ST，VIPer产品系列，应用功率5W-10W，典型应用于电池充电器的壁挂式适配器，以及电视和监视的待机电源领域，随着缺货涨价以及国内芯片产业生态发展的完善，国产替代势在必行，AP8012H在不改PCB及外围参数下可兼容替代viper12a芯片，实现进口替代！viper12a替代芯片ap8012h特征■

  士兰微mos管产品最重要的包含低高压、超结mos管，实现了沟槽栅低压MOS，沟槽屏蔽栅SGT-MOS，超级结MOS和IGBT等多个产品的量产，大范围的应用于家电、工业、LED照明、汽车、消费类电子、影音设备等，缺货涨价潮助力国产替代加速，士兰微不断推进产品研究开发和升级，不仅在产能端实现了扩增，而且产品结构也在从低阶产品向更高价值量产品升级，实现进口替代。高压超结MOS

  受多重因素影响，芯片的供应紧张仍未缓解，在缺“芯”困局之下，国产替代的呼声愈发高涨，许多国产厂商选择“PINtopin”的替代模式入局，骊微电子代理的启达启臣微CR1252A电源驱动芯片可代替ncp1252A芯片。ncp1252a代替芯片CR1252A特征■SOP-8L封装■内置软启动■内置斜波补偿■峰值电流限制■内置输入欠压自动恢复■内置LEB前沿消隐功能

  自从小米发布了旗下第一款采用GaN技术的充电器，市场上便掀起了GaN“快充风”，目前国内市场上手机、笔记本、平板等电子科技类产品的GaN快充产品的核心器件—GaN驱动IC，大多数都依赖进口，骊微电子推出NCP1342驱动氮化嫁国产替代芯片—PN8213，适用于65W氮化镓充电器芯片方案。NCP1342替代芯片PN8213特征■内置高压启动电路■供电电压9~57V,

  ir2104驱动芯片代换料ID7U603SEC-R1 600V半桥预驱方案

  ID7U603是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT半桥驱动芯片，可兼容代换IR2104，应用领域于中小型功率电机驱动、功率MOSFET或IGBT驱动、照明镇流器、半桥驱动逆变器、全桥驱动逆变器等领域。ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1特点■浮动工作电压可达600V■拉灌电流典型值210mA/360mA■兼容3.3V/5V的输入逻辑电平■dV/dt抗干扰能力±5

  自iPhone8开始，后续的苹果手机都支持快充，然而随着iPhone12系列手机的推出以及取消多部机型标配充电器这一传统，从iPhone的全球出货量来看，已造成了上亿规模的快充市场空缺，深圳市骊微电子科技有限公司专注于电源方案设计开发，顺势推出20WA+C双口pd快充充电器方案，提供一站式服务。20WA+C双口pd快充充电器方案主控芯片采用PN8161SE-U1，该芯片内部集成了准谐振工作的电流

  5W/10W/12W/15W/18W/20W/24W/36W/65W充电器芯片方案

  充电器常用的芯片方案有5W/10W/12W/15W/18W/20W/24W/36W/65W等多种功率类型，充电器中的核心元器件为充电器ic芯片，在充电环境中起到了至关重要的作用，选择正真适合的充电器电源芯片将大大延长电路寿命，也能够大大减少充电器的故障，下面骊微电子介绍几款充电器常用的芯片方案。基于PN8366的5V1A充电器电源应用方案■输入电压：90~264Vac；■输出功率：5W(5V1A)；■待机

  30V超低内阻mos管SVG030R7NL5、SVG031R1NL5、SVG031R7NL5、SVG032R4NL5系列是N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用士兰的LVMOS工艺技术制造。具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。30v大电流mos管SVG030R7NL5：采用PDFN-8-5X6封装，漏源电压VDS=30V，漏极电流Tc=25℃：282A，导通电阻RDs(on)

  30V/40V/60V/80V/100V/150V/200V 常用mos管选型方案

  MOS管有两种结构及形式，即N沟道型和P沟道型，结构不一样，使用的电压极性也会不一样，选择到一款正确的MOS管，可以很好地控制生产制造成本，确保设备得到高效、稳定、持久的应用效果，充分的发挥其“螺丝钉”的作用，30V-200Vmos管大范围的应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。30Vmos管常用型号：SVG030R7NL5封装PDFN56，导通内阻0.7mΩSVG031R1NL5封装PDFN56，

  常见的MOS管驱动方式有非隔离的直接驱动、自举驱动，和有隔离的变压器驱动、光耦隔离驱动等，ir2110驱动芯片替代料ID7S625高压高低侧栅极驱动芯片是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率的MOSFET和IGBT栅极驱动器，大范围的应用于DCDC转换器、功率MOSFET和IGBT驱动、DC/AC转换器等领域。ir2110替代芯片ID7S625特征■芯片工作电压范围10V~20V■输入逻辑兼容3.3

  65WPD快充方案不仅能支持手机的大功率快速充电还能支持20V输出，可以为电脑充电，具有通用性好的优点，搭配氮化镓，体积可以做到很小，骊微电子推出65w快充方案PN8213+PN8307P+AP2080，具有小体积、大功率、高效率、超低待机功耗等特点，足以应对目前市场对65WPD快充的需求。PN8213内置800V高压启动管和X电容放电功能，专用于高性能的快充开关电源，待机功耗小于50mW

  OB3353是一款具有成本效益的LED驱动器，广泛应用于LCD显示器和LCDTV背光，随着国际市场芯片缺货及疫情等外部因素的影响下，加速了半导体行业国产替代的步伐，骊微电子推出OB3353国产替代料AP3160高性能异步升压LED驱动器，可兼容代换背光芯片OB3353。ob3353代换芯片AP3160特性■宽范围工作电压：9V~35Vl■宽范围PWM调光(1kHz~200kHz)l■120kHz开

  自从iPhone12系列手机取消标配充电器以来，各大手机品牌纷纷跟进，目前Apple手机/平板电脑等多种数码产品充电功率需求进一步提升，20W快充已经无法满足快充需求，30WPD快充成了继20WPD快充之后的另一大潜力市场，骊微电子推出基于PN8165+PN8307H的30W小体积PD快充参考设计，以满足快充市场需求！30WPD套片方案：主控芯片采用PN8165，次级同步采用PN8307H(A

  PN8015集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，输出电压可通过FB电阻调整3.3V~24V，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN80155V0.2A风扇方案：■输入电压：90~265V■输出功率：≤1W■输出电压电流:5V/0.2A■拥有可恢复短路保护，输出过载保护。在启动阶段，内部高压启动管提供2.5mA电流对外部VDD电容进行充电；当VDD电压达到13.5V，

  AP3908GD n p沟道mos管丝印3908G-bldc mos管

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  AP2080Q 场效应管（MOSFET）20V 30A参数-铨力mos

  AP2335 场效应管(MOSFET) SOT-23 丝印2335 P沟道 20V7A